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Ramtron 4Mb F-RAM存储器受fimicro青睐,用于其新型PC/104兼容单板机和I/O模块设计中

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  非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应商fimicro已在其新型的active104系列PC/104兼容单板计算机(SBC)和智能I/O扩展模块中,采用了Ramtron的非易失性F-RAM存储器。fimicro已在其active104 SBC、RAID、以太网和USB板的设计中使用了Ramtron的FM22L16 4兆位(Mb)并行F-RAM,以取代active104系统中的Flash、SRAM和EEPROM存储器技术,因为Ramtron的F-RAM器件具有非易失性、No Delay(无延迟)写入能力及无限次的擦写,这对保证数据的完整性非常有利。

  fimicro执行合伙人Simone Fischer称:“F-RAM用来替代active104板上不太可靠的快闪存储器,以便存储BIOS、OS、其他的系统软件和关键的系统数据。它还替代了智能I/O模块上的SRAM和EEPROM。在fimicro的硬件产品系列中广泛使用F-RAM这种非易失性存储器技术,可以提高我们系统的可靠性和总体的稳健性”。

  fimicro的SBC和智能I/O板采用四个4Mb并行F-RAM器件,构成一个2兆字节(MB)非易失性存储器阵列,讓系统能够直接从该存储器阵列启动,以及在重新启动之后数毫秒内恢复到最新的操作状态中。F-RAM是这种应用中理想的替代快闪存储器的产品,因为它具有很高的耐用性和快速的写入能力。

  Ramtron战略市场拓展经理Duncan Bennett称:“fimicro选择FM22L16用于其active104 SBC、RAID、以太网和USB板中,再次证明了F-RAM越来越受先进嵌入式硬件供应商的重视。F-RAM是fimicro的active104系统不可或缺的一部分,因其保证了数据的可靠性,并在电源故障时能防止数据丢失。”

  F-RAM还替代了所有active104智能I/O模块接口逻辑中的SRAM。每个fimicro的RAID、以太网和USB模块上都集成了一个额外的4Mb F-RAM器件,以实现快速的读/写访问,并保证数据的完整性。在SBC和模块之间传递的所有数据均以总线速度保存在F-RAM中,并在电源故障时得到保护。此外,该保存数据能够在电源恢复时使模块在同一点得以恢复。F-RAM还在active104系统中替代了EEPROM,以便在需要时保存器件的配置数据。

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