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长鑫存储内存制造项目宣布投产

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  新华通讯社信息,在合肥市举办的2019全球加工业交流会上,总项目投资约1500亿元的长鑫储存内存芯片生产制造新项目公布建成投产,其与国际性流行DRAM商品同歩的10氧化硅第1代8Gb?DDR4首次现身,1期布置生产能力一月12万片圆晶。
    该新项目2016年5月由合肥市政府主打产品合肥市产投与兆易创新相互注资建立。现阶段,新项目已得到国家工信部主打产品检测中心我国电子信息技术标准化研究院的烧录合格率检验报告。
  长鑫储存老总兼ceo朱一明详细介绍,长鑫储存建成投产的8Gb?DDR4根据了好几个世界各国大顾客的认证,今年年底宣布交货,另有这款供移动智能终端应用的功耗商品也将要建成投产。
  长鑫储存高级副总裁平尔萱此前在另一个场所表达,企业早已取得成功把从奇梦达得到的46纳米技术堆栈式DRAM稳定过多到10纳米技术级別,企业乃至在探寻HKMG、EUV乃至GAA等新技术应用和新技术新工艺在DRAM上的保持,奋力将来变成储存行业的引领者。

文章整理自网络

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